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岗位职责： 1. 研究MOS器件核心退化机理，重点HCI、NBTI、TDDB等老化效应，分析器件退化对电路性能的影响。 2. 负责器件紧凑模型、可靠性老化模型的参数提取、建模与校准，保障仿真与实测一致性。 3. 针对DRAM内部电路，开展PVT、老化（可靠性退化）、裕度仿真，定位并解决电路漂移、失效问题。 4. 建立器件-电路可靠性协同分析方法，输出可靠性设计规范与优化方案。 5. 跟踪先进制程可靠性技术，完成技术沉淀与专利输出。 任职要求： 1. 微电子、集成电路、半导体器件等相关专业博士学历。 2. 精通半导体器件物理，熟练掌握NBTI、HCI、TDDB器件退化机理。 3. 具备扎实的SPICE器件建模、参数提取能力，熟悉模拟电路可靠性仿真流程。 4. 熟练使用Cadence、HSPICE等仿真工具，熟悉PVT、器件失配、老化（Ageing）分析。 5. 有存储器电路、先进制程器件建模/可靠性经验者优先。
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